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從Mate 30到P50,華為被制裁后的國產替代之路

E4Life ? 2021-09-02 09:24 ? 次閱讀
自2019年5月被制裁以來,華為就開始以國產替代作為方針,試圖用國產零部件替代原有的歐美大廠,實現“去美化”。那么從華為受制后發布的Mate30,到兩年過去后的P50,華為的國產替代究竟是如何演進的呢?


Mate30 5G版部分供應商 / 整理自Fomalhaut拆解數據

2019年11月,華為發布了Mate30 5G版,根據日本調查公司Fomalhaut Technology Solutions在去年發布的拆解數據,從零部件成本上看,國產元器件的份額已經從4G舊機型的25%上升至42%,而美國零部件的成本則從11%左右降到了1%。在這款5G手機中,通信芯片已經換為海思半導體自研,而在過去的4G手機上,這部分芯片主要采用的是美國思佳訊的產品。

除此之外,Mate 30 5G版依然在使用一些通用的美國半導體,比如NXPNFC模塊、意法半導體無線充電IC、Cirrus Logic音頻放大器和TI的MIPI開關等。

近日, Fomalhaut 又發布了華為于今年3月發布的Mate 40E的拆解報告,對各個零部件的企業、產地和成本份額進行了分析。從已有的數據來看,Mate 40E中,中國大陸的零部件使用率高達56.6%,接近6成,這與過去將近30%的使用率相比,可謂實現了翻倍的跨越。

不過,在Mate 40E這一機型中,美國零部件的成本份額也增加至了5.2%。然而任正非也曾發聲過:“華為也能做美國芯片一樣的芯片,但不等于說我們就不買了。”可見在允許供貨的情況下,華為最后還是會為產品本身來做出選擇。

去年10月,華為推出了Mate40和Mate30E Pro,前者搭載的是麒麟9000E SoC處理器,后者則選用了麒麟990E處理器。由于5nm的9000E芯片備貨并不算多,所以今年3月發售的Mate 40E同樣采用了7nm的麒麟990E處理器,根據Fomalhaut的推算,該機型的總成本達到367美元,而這顆990E處理器成本最高。除此之外,成本占比近三成的則是京東方的OLED屏幕,而不再是同樣不受供貨限制的三星,足見京東方已經開始朝第一梯隊開始突破。

Mate40E部分零部件的生產來源 / 整理自Fomalhaut拆解數據

從以上的部分零部件表中可以看出,在存儲和通信的零部件上,華為還未達成完全的國產化,部分器件仍然來自美國和日韓。但這些通信和射頻前端器件并沒有涉及5G通信,所以高通Qorvo供應的產品依然可以用于華為的手機內。另一部分通信半導體,包含天線開關等,仍是由海思半導體制造。而存儲方面,Mate40E的內存依然采用SK海力士的DRAM,而閃存方面則從鎧俠換成了三星。

P50部分國產供應商 / 網絡資料整理

然而到了最新的P50和P50 Pro上,華為將發布時間推遲了4個半月,也是為了進一步解決替代問題。但由于麒麟9000芯片仍然面臨庫存不足的窘境,巴龍的基帶也需要用到7nm工藝,在加上一眾射頻器件暫時無法做到國產替代,華為的P50系列最終還是選擇了用上余下的麒麟5000芯片,同時也選擇了高通888的4G版本。

雖然采用了大批國產零部件外,P50也用上了不少日韓供應商的產品,比如索尼的攝像頭、SK海力士的DRAM,閃存則是再次用回了鎧俠。

國內媒體唯頌科技在拆解出來的P50 Pro射頻板中發現,板上的右下角有幾個空的芯片焊盤。根據其判定,華為P50 Pro的射頻板缺少了一顆村田429前端模塊,配套的一顆海思13H接收功放和一顆海思Hi6D05 PA功放,這也就是華為P50 Pro缺少5G的原因之一。但華為并沒有從系統層面為這些器件做開放,所以即便是焊上去,也是無法開啟5G的。

結語

從最新的P50機型上來看,華為這兩年時間已經實現了大部分手機零部件的國產替代,Wi-Fi藍牙等通信芯片海思依然可以繼續供應,然而部分射頻器件的競爭力依然把握在美國和日本廠商手中。而手機SoC由于國內暫時還無法提供更先進的制程,華為未來若繼續推出新機型的話,很有可能繼續采用高通的芯片。

從整機成本上來說,SoC依然是大頭,但當從零部件數量上來說,華為的國產替代已經基本穩定了下來。未來國產占比進一步突破,才是實現真正意義上替代的難關。國內射頻廠家必須盡快完成射頻模塊集成化,晶圓廠則必須做到制程突破,這樣才能成為華為國產替代堅實的后盾。
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CC1200 低功耗高性能射頻收發器

TPS795 超低噪聲、高 PSRR、快速、射頻、500mA 低壓降線性穩壓器

信息描述 The TPS795 family of low-dropout (LDO), low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), ultralow noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in small outline, 6-pin SOT-223 and 3-mm × 3-mm WSON packages. Each device in the family is stable with a small 1-μF ceramic capacitor on the output. The family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield extremely low dropout voltages (for example, 110 mV at 500 mA). Each device achieves fast start-up times (approximately 50?μs with a 0.001-μF bypass capacitor) while consuming very low quiescent current (265 μA, typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 μA. The TPS79530 device exhibits approximately 33?μVRMS of output voltage noise at 3-V output with a 0.1-μF bypass capacitor. Applications with analog components that are noise-sen...
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TPS795 超低噪聲、高 PSRR、快速、射頻、500mA 低壓降線性穩壓器

TPS730 低噪聲、高 PSRR、射頻 200mA 低壓降線性穩壓器

信息描述The TPS730 family of low-dropout (LDO) low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), low noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in a small SOT-23 package. NanoStar packaging gives an ultrasmall footprint as well as an ultralow profile and package weight, making it ideal for portable applications such as handsets and PDAs. Each device in the family is stable, with a small, 2.2-μF ceramic capacitor on the output. The TPS730 family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield low dropout voltages (for example, 120 mV at 200 mA, TPS73030). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 μs with a 0.001-μF bypass capacitor) while consuming low quiescent current (170 μA typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 μA. The TPS73018 exhibits approximately 33 μVRMS ...
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TPS730 低噪聲、高 PSRR、射頻 200mA 低壓降線性穩壓器

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器,0.1 - 33 GHz

和特點 衰減范圍:1 dB LSB步進至31 dB 插入損耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰減精度:±0.5 dB(典型值) 輸入線性度o0.1 dB壓縮(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三階交調點(IP3):40 dBm(典型值) 功率處理:27 dBm 雙電源供電:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝HMC939ATCPZ-EP支持防務和航空航天應用(AQEC標準) 下載HMC939ATCPZ-EP數據手冊(pdf) 軍用溫度范圍:-55°C至+125°C 受控制造基線 唯一封裝/測試廠 唯一制造廠 增強型產品變更通知 認證數據可應要求提供 產品詳情 HMC939ALP4E是一款5位數字衰減器,以1 dB步長提供31 dB的衰減控制范圍。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定頻率范圍內提供最佳的插入損耗、衰減精度和輸入線性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = ?5 V雙電源電壓供電,通過集成片內驅動器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。該器件采用符合RoHS標準的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。有關HMC939ALP4E的裸片版本,請參見HMC939A-DIE。應用 測試儀器儀表 微波無線電和甚小孔徑終端(VSAT) 軍...
發表于 02-22 12:16 ? 234次 閱讀
HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位數字衰減器,0.1 - 33 GHz

ADL5367 900 MHz 平衡混頻器,內置高端本振(LO)緩沖器和RF巴倫

和特點 功率轉換損耗:7.0 dB RF頻率范圍:500 MHz至1500 MHz IF頻率范圍:DC至450 MHz 10 dBm阻塞單邊帶噪聲指數:17 dB 輸入IP3:37 dBm 輸入P1dB :25 dBm 本振驅動:0 dBm(典型值) 單端50Ω RF與本振輸入端口 高隔離度單刀雙擲(SPDT)本振輸入開關 單電源電壓:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引腳裸露焊盤LFCSP封裝 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能產品詳情 ADI參考設計:混合信號數字預失真(MSDPD)平臺ADL5367利用一個高線性度雙平衡無源混頻器內核以及集成的RF與本振平衡電路來實現單端工作。ADL5367內置一個RF巴倫,能夠利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF輸入頻率范圍內實現最佳性能。(用于低端本振注入的引腳兼容器件也已供應。)平衡的無源混頻器提供良好的本振至射頻泄漏(典型值優于-20 dBm),以及出色的互調性能。在手機應用中,帶內阻塞信號可能會導致動態性能下降,ADL5367的平衡混頻器內核能夠提供極高的輸入線性度,非常適合于要求嚴苛的手機應用。對于低壓應用,ADL5367能在低至3V的電壓下工作,并大幅降低直流電流。兩個數字邏輯輸入使得用戶能夠控制一個內部電阻串數模...
發表于 02-22 12:16 ? 183次 閱讀
ADL5367 900 MHz 平衡混頻器,內置高端本振(LO)緩沖器和RF巴倫

AD8346 2.5 GHz 直接變頻正交調制器

和特點 輸出頻率范圍:800 MHz至2.5 GHz I/Q基帶頻率范圍:DC至70 MHz 輸出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪聲:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省電功能 2.7 V至5.5 V單電源 與 AD8345 / AD8349引腳兼容 產品詳情 AD8346是一款硅I/Q正交調制器,設計用于800 MHz至2.5 GHz頻率范圍。該器件針對低功耗應用進行了優化,對于給定的電源電流,仍能提供極低的本底噪聲和高輸出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驅動電平,提供額定50 Ω緩沖輸出。該器件可提供出色的振幅和相位平衡以及邊帶抑制特性,支持高階/高容量QAM調制無線電。此外,AD8346已經過測試,用于直接上變頻CDMA IS95調試器時,可提供–72dBc ACPR。AD8346采用16引腳超薄緊縮小型(TSSOP)封裝,額定溫度范圍為–40°C至+85°C。供貨提供樣片和評估板,產品型號分別為AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它調制器/解調器產品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交調制器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解調器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上變頻正交調制器 方框圖...
發表于 02-22 12:15 ? 221次 閱讀
AD8346 2.5 GHz 直接變頻正交調制器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

和特點 低噪聲指數:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 輸出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高輸出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 產品詳情 HMC1040CHIPS 是一款砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 低噪聲寬帶放大器,工作范圍為 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪聲指數和 25.5 dBm 的典型輸出三階交調點 (IP3),只需要 65 mA 電流,2.5 V 電源電壓。15.5 dBm 的典型飽和輸出功率 (PSAT) 可以使低噪聲放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 眾多平衡式同樣正交 (I/Q) 或鏡頻抑制混頻器的本地振蕩器 (LO) 驅動器。HMC1040CHIPS 還具有可在內部匹配至 50 Ω 的輸入和輸出,使其適用于基于表面安裝技術 (SMT) 的高容量微波無線電應用。應用 軟件定義無線電 電子戰 雷達應用 衛星通信 電子戰 儀器儀表 電信 方框圖...
發表于 02-22 12:14 ? 201次 閱讀
HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器

ADL5541 射頻/中頻( RF/IF)增益模塊,工作頻率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特點 固定增益:15 dB 工作頻率:6 GHz 內部匹配的50Ω輸入/輸出電阻 內置偏置控制電路 輸出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 輸出1 dB壓縮點:19.7 dBm @900 MHz 噪聲系數:3.5 dB @ 900 MHz 單電源供電:5V 8引腳LFCSP小尺寸封裝 與20 dB增益的ADL5542 引腳兼容 1 kV靜電放電(ESD)保護(Class 1C) 產品詳情 ADL5541是一款15 dB寬帶的線性放大器,工作頻率高達6 GHz。該放大器可以用于各種有線電視、手機以及儀器設備。 ADL5541可以提供15 dB增益,在頻率、溫度與電源范圍內穩定工作, 器件一致性好。該增益模塊內部匹配輸入電阻為50Ω,在6 GHz以內其輸入回波損耗為10 dB以下。它工作時只要求輸入/輸出交流耦合電容器、電源去耦合電容器以及外部電感。 ADL5541采用InGaP HBT工藝制作,靜電放電(ESD)保護額定值為1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封裝,帶裸露焊盤,具有出色的熱阻性能。 ADL5541采用5 V單電源供電,功耗90 mA,工作溫度范圍:-40°C至+85°C。 現在可以供應完全符合RoHS標準的評估板。 ADL5542為系列產品,可提供增益20 dB,與ADL55...
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ADL5541 射頻/中頻( RF/IF)增益模塊,工作頻率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

AD8341 RF矢量調制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

和特點 工作頻率范圍:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范圍:30 dB 笛卡爾I/Q基帶頻率范圍:DC至230 MHz 輸出三階交調截點:+17.5 dBm 相位控制范圍:360° 輸出1dB壓縮點:+8.5 dBm 輸出開關禁用功能 5V單電源 與AD8340引腳兼容 產品詳情 單芯片RF振幅與移相器AD8341是一款高性能RF矢量調制器,輸入頻率范圍為1.5 GHz至2.4 GHz,可連續、獨立地調整振幅和相位。通過寬帶笛卡爾I/Q接口,可實現完整的360°相位調整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信號帶寬,可通過單端或差分方式驅動,具有±500 mV滿量程輸入。AD8341采用24引腳LFCSP封裝,額定溫度范圍為–40°C至+85°C。供貨提供樣片和評估板,產品型號分別為AD8341ACP和AD8341-EVAL。同類產品AD8302 - 低頻至2.7 GHz RF/IF增益相位檢波器AD8340 - RF矢量調制器,700 MHz至1000 MHz其它調制器/解調器產品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪聲RF/IF調制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上變頻調制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接變頻解調器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解調器AD...
發表于 02-22 12:13 ? 169次 閱讀
AD8341 RF矢量調制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

ADL6010 快速響應、45 dB 范圍、 0.5 至 40 GHz 功率檢波器

和特點 具有線性度的肖特基二極管檢波器 寬帶50 Ω輸入阻抗 具有最小斜率變化的精確響應范圍:0.5 GHz至43.5 GHz 輸入范圍:?30 dBm至+15 dBm,參考50 Ω 出色的溫度穩定性 2.1 V/VPEAK(輸出電壓根據輸入峰值電壓)斜率(10 GHz) 快速包絡帶寬: 40 MHz 快速輸出上升時間: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引腳LFCSP封裝 產品詳情 ADL6010是一款多功能微波頻譜寬帶包絡檢波器, 以單個易于使用的6引腳封裝提供一流的精度和極低的功耗(8 mW)。 該器件輸出的基帶電壓與射頻(RF)輸入信號的瞬時幅度成正比。 它的RF輸入具有非常小的斜率變化,以便包絡從0.5 GHz到43.5 GHz的輸出傳遞函數檢波器單元使用專利的八肖特基二極管陣列,后接新穎的線性化電路,可創建相對于輸入電壓幅度,總比例因子(或傳遞增益)標稱值為?2.2的線性電壓表雖然ADL6010本質上并不是一款功率響應器件,但以這種方式指定輸入依然是很方便的。 因此,相對于50 ?源輸入阻抗,允許的輸入功率范圍為?30 dBm至+15 dBm。 對應的輸入電壓幅度為11.2 mV至1.8 V,產生范圍從25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的準直流輸出。平衡檢波器拓撲...
發表于 02-22 12:12 ? 314次 閱讀
ADL6010 快速響應、45 dB 范圍、 0.5 至 40 GHz 功率檢波器

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式開關,DC - 2.5 GHz

和特點 低插入損耗(2 GHz):1.1dB 單正電源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解碼器 24引腳QSOP封裝 產品詳情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均為低成本非反射SP8T開關,采用24引腳QSOP封裝,寬帶工作頻率范圍為DC至2.5 GHz。該開關提供單正偏置和真TTL/CMOS兼容性。該開關上集成了3:8解碼器,僅需三個控制線和一個正偏置即可選擇每個路徑。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T將替代SP4T和SPDT MMIC開關的多種配置。應用 CATV/DBS CDMA 蜂窩/PCS 方框圖...
發表于 02-22 12:10 ? 733次 閱讀
HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式開關,DC - 2.5 GHz

HMC647A GaAs MMIC 6位數字移相器,2.5-3.1 GHz

和特點 低RMS相位誤差: 1.5° 低插入損耗: 4 dB 高線性度: +50 dBm 正控制邏輯 360°覆蓋,LSB = 5.625° 28引腳QFN無引腳SMT封裝: 36mm2產品詳情 HMC647ALP6E是一款6位數字移相器,額定頻率范圍為2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。 此款高精度移相器通過0/+5V的正控制邏輯控制。HMC647ALP6E采用緊湊型6x6 mm塑料無引腳SMT封裝,內部匹配50 Ohms,無需任何外部元件。 應用 EW接收器 氣象和軍用雷達 衛星通信 波束成形模塊 相位抵消 方框圖...
發表于 02-22 12:07 ? 231次 閱讀
HMC647A GaAs MMIC 6位數字移相器,2.5-3.1 GHz

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器

和特點 RF輸出頻率范圍:17 GHz至24 GHz IF輸入頻率范圍:2 GHz至4 GHz LO輸入頻率范圍:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 邊帶抑制:32 dB(下邊帶) P1dB:25 dBm 增益調節:30 dB 輸出IP3:33 dBm 匹配50 ? RF輸出、LO輸入和IF輸入 32引腳、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝 產品詳情 ADMV1011是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設計、單芯片微波集成電路(MMIC)、雙邊帶(DSB)上變頻器,采用符合RoHS標準的封裝,針對工作頻率范圍為17 GHz至24 GHz的點對點微波無線電設計進行優化。ADMV1011提供21 dB的轉換增益,具有針對下邊帶和上邊帶的32 dBc和23 dBc邊帶抑制性能。ADMV1011采用射頻(RF)放大器,前接由驅動放大器驅動集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)雙平衡混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入,需通過外部90°混合選擇所需的邊帶。I/Q混頻器拓撲結構則降低了干擾邊帶的濾波要求。ADMV1011為混合型DSB上變頻器的小型替代器件,它無需線焊,可以使用表貼制造裝配。ADMV1011上變頻器采用緊湊的散熱增強型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝。ADMV1011工作溫度范圍為?40°C至+85°...
發表于 02-22 12:06 ? 334次 閱讀
ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上變頻器

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混頻器

和特點 高性能有源混頻器 寬帶操作,頻率最高達2.5 GHz 轉換增益:7 dB 輸入IP3:16.5 dBm LO驅動:–10 dBm 噪聲系數:14 dB 輸入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO輸入阻抗 單電源供電:5 V(50 mA,典型值) 省電模式:20 μA(典型值)產品詳情 AD8343是一款高性能、寬帶有源混頻器,具有極低交調失真,所有端口均具有寬帶寬,非常適合要求嚴格的發射應用或接收通道應用。AD8343的典型變頻增益為7 dB。集成的LO驅動器以低LO驅動電平,支持50 Ω差分輸入阻抗,有助于將外部元件數降至最少。開發差分輸入可以直接與差分濾波器接口,或通過平衡-不平衡變換器(變壓器)驅動,由單端源提供平衡驅動。開集差分輸出可以用來驅動差分中頻信號接口,或通過匹配網絡或變壓器轉換為單端信號。以VPOS電源電壓為中心時,輸出擺幅為±1 V。LO驅動器電路的典型功耗為15 mA。可利用兩個外部電阻來設置混頻器內核電流,以達到要求的性能,總電流為20 mA至60 mA。采用5 V單電源供電時,相應的功耗為100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅雙極性IC工藝制造,提供14引腳TSSOP封裝,工作溫度范圍為?...
發表于 02-22 12:06 ? 173次 閱讀
AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混頻器

ADF7023 高性能、低功耗ISM頻段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器IC

和特點 超低功耗、高性能收發器 工作頻段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的數據速率:1 kbps至300 kbps 電源電壓范圍:2.2 V至3.6 V 單端和差分PA 中頻帶寬可編程的低中頻接收機:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收機靈敏度(BER)?116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)?107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)?102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)?100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)?104 dBm(19.2 kbps,OOK) 極低功耗 RF輸出功率范圍:?20 dBm至+13.5 dBm(單端PA) 欲了解更多特性,請參考數據手冊產品詳情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz頻段的極低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器,這些頻段覆蓋免許可的433MHz、868MHz和915MHz ISM頻段。它適合歐洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中國短程無線監管標準或其它類似地區標準下的電路應用。支持1 kbps至300 kbps的數據速率。發射RF頻率合成器包含一個VCO和一個輸出通道頻率分辨率為400 Hz的低噪聲小數N分頻鎖相環(PLL)。VCO的工作頻...
發表于 02-22 12:06 ? 257次 閱讀
ADF7023 高性能、低功耗ISM頻段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收發器IC

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位數字衰減器

和特點 1.0 dB LSB步進至31 dB 每位單正控制線 誤碼率:±1.0 dB(典型值) 輸入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模塊 可現場更換的K型連接器 工作溫度: -55℃至+85℃ 產品詳情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化鎵(GaAs) IC數字衰減器,封裝在微型密封模塊中。 這款寬帶衰減器具有7 dB的典型插入損耗和43 dBm的輸入IP3,位值為1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,總衰減范圍為31 dB。 該器件的衰減精度很高,典型步長誤差為±1.0 dB。 五個控制電壓輸入在0 V和5 V之間切換,用于選擇每個衰減狀態。 可移除的K型連接器可以拆卸,以便將模塊的輸入/輸出引腳直接連接到微帶或共面電路。應用 光纖和寬帶電信 微波無線電和VSAT 軍用無線電、雷達和電子對抗(ECM) 空間系統 測試儀器儀表 方框圖...
發表于 02-22 12:06 ? 225次 閱讀
HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位數字衰減器

ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混頻器,集成小數N分頻PLL和VCO

和特點 集成小數N分頻PLL的接收混頻器 RF輸入頻率范圍:300 MHz至2500 MHz 內部LO頻率范圍:750 MHz至1160 MHz 輸入P1dB:14.5 dBm 輸入IP3:31 dBm 通過外部引腳優化IIP3 SSB噪聲系數IP3SET引腳斷開:13.5 dBIP3SET引腳接3.3 V電壓:14.6 dB 電壓轉換增益:6.7 dB 200 Ω IF輸出匹配阻抗 IF 3 dB帶寬:500 MHz 可通過三線式SPI接口進行編程 40引腳、6 mm × 6 mm LFCSP封裝 產品詳情 ADRF6601是一款高動態范圍有源混頻器,集成鎖相環(PLL)和壓控振蕩器(VCO)。PLL/頻率合成器利用小數N分頻PLL產生fLO輸入,供給混頻器。基準輸入可以進行分頻或倍頻,然后施加于PLL鑒頻鑒相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范圍內的輸入基準頻率。PFD輸出控制一個電荷泵,其輸出驅動一個片外環路濾波器。然后,環路濾波器輸出施加于一個集成式VCO。VCO輸出(2 × fLO)再施加于一個LO分頻器和一個可編程PLL分頻器。可編程PLL分頻器由一個Σ-Δ調制器(SDM)進行控制。SDM的模數可以在1至2047范圍內編程。有源混頻器可將單端50 Ω RF輸入轉換為200 Ω差分IF輸出。...
發表于 02-22 12:06 ? 265次 閱讀
ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混頻器,集成小數N分頻PLL和VCO

ADRF6720-27 寬帶(400 MHz至3 GHz)正交調制器,集成PLL/VCO和2.68 V輸入偏置

和特點 集成小數N分頻PLL的I/Q調制器 RF輸出頻率范圍: 400 MHz至3,000 MHz 內部LO頻率范圍: 356.25 MHz至2855 MHz 輸出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 輸出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 載波饋通: ?44.3 dBm (2140 MHz) 邊帶抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: ?159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基帶1 dB調制帶寬: >1000 MHz 基帶輸入偏置電平: 2.68 V 電源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可調諧巴倫,允許單端RF輸出 多核集成式VCO HD3/IP3優化 邊帶抑制和載波饋通優化 高端/低端LO注入 可通過三線式串行端口接口(SPI)進行編程 40引腳6 mm x 6 mm LFCSP封裝 產品詳情 ADRF6720-27是一款集成頻率合成器的寬帶正交調制器,非常適合用于3G和4G通信系統。 ADRF6720-27內置一個高線性度寬帶調制器、一個集成式小數N分頻鎖相環(PLL),以及四個低相位噪聲多核壓控振蕩器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信號可從內部通過片內整數N分頻或小數N分頻頻率合成器產生,也可從外部通過高頻、低相位噪聲LO信號產生。 內部集成式頻率合成器利用多核VCO,實現356.25 MHz到28...
發表于 02-22 12:06 ? 177次 閱讀
ADRF6720-27 寬帶(400 MHz至3 GHz)正交調制器,集成PLL/VCO和2.68 V輸入偏置

ADRF6658 集成IF放大器的寬帶雙通道RX混頻器

和特點 寬帶、雙通道、有源下變頻混頻器 低失真、快速建立、IF DGA RF輸入頻率范圍:690 MHz至3.8 GHz RF輸入端的可編程巴倫 差分和單端LO輸入模式 差分IF輸出阻抗:100 ? 可通過三線式串行端口接口(SPI)進行編程 對于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高線性度模式: 電壓轉換增益,包括IF濾波器損耗:?5至+26.5 dB (更多詳細信息,請參見數據手冊) 靈活的省電模式,針對低功耗操作 通道使能后的上電時間:100 ns,典型值 3.3 V單電源 高線性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 產品詳情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、寬帶、雙通道無線電頻率(RF)下變頻器,集成中頻(IF)數字控制放大器(DGA),適用于寬帶、低失真基站無線電接收機。 雙通道Rx混頻器為雙平衡吉爾伯特單元混頻器,具有高線性度和出色的圖像抑制能力。 兩款混頻器均可將50 Ω RF輸入轉換為開集寬帶IF輸出。 在混頻器輸入前,RF輸入端的內部可調諧巴倫可抑制RF信號諧波并衰減帶外信號,從而減少輸入反射和帶外干擾信號。 靈活的本振(LO)架構允許使用差分或單端LO信號。 雙通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分輸出...
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ADRF6658 集成IF放大器的寬帶雙通道RX混頻器

HMC6300 60 GHz毫米波發射器,57 GHz - 64 GHz

和特點 頻段:57 - 64 GHz RF信號帶寬:最高達1.8 GHz 針對1 dB壓縮的輸出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 數字和模擬RF和IF增益控制 集成頻率合成器 集成鏡像抑制濾波器 部分外置的環路濾波器 支持外部LO 片內溫度傳感器 支持256-QAM調制 集成MSK調制器 通用模擬I/Q基帶接口 三線式串行數字接口 符合RoHS標準的65引腳晶圓級球柵陣列封裝 產品詳情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波發射器集成電路,采用符合RoHS標準的6 mm x 4 mm晶圓級球柵陣列(WLBGA)封裝,工作頻率范圍為57 GHz至64 GHz,調制帶寬高達1.8 GHz。集成式頻率合成器在250、500或540 MHz步長下進行調諧,具有出色的相位噪聲,支持高達64-QAM的調制。或者,可以注入外部LO,它支持用戶可選LO特性或相位相干發射和接收操作以及高達256-QAM的調制。通過通用模擬基帶IQ接口提供對各種調制格式的支持。發射器芯片還支持專用FSK、MSK、OOK調制格式,從而實現更低成本和功耗的串行數據鏈路,而無需使用高速數據轉換器。差分輸出向100 Ω負載提供高達15 dBm的線性輸出功率。同時支持單端操作,最高12 dBm。與HMC6301BG46一起,完整的60 G...
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HMC6300 60 GHz毫米波發射器,57 GHz - 64 GHz
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